韩媒报导，南韩科技大厂「三星电子（ Samsung ）」预计将在下周宣布量产3奈米晶片。

　　《韩联社》引述消息人士透露，称三星将在下周对外公布，率先量产环绕闸极技术（GAA）架构的3奈米制程。

　　根据三星说法，与台积电鳍式场效电晶体（FinFET）架构制程相比，GAA技术可将晶片面积减少45%，同时性能提高30%，功耗降低50%。

　　若消息属实，三星3奈米晶片量产进度将抢先其他竞争对手。台积电今年4月召开法说会时表示，预计将在今年下半年开始量产3奈米晶片。

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